工业应用的系统设计工程师正在寻找在单个IC封装中高度集成且具有保护功能的栅极驱动芯片。新开发的FOD8334是一款先进的4.0A输出电流IGBT/MOSFET驱动光电耦合器。下面简单了解一下。
该器件的绝缘工作电压额定值（VIORM）为1,414V，比竞争产品高13%，允许器件直接驱动1200VIGBT。共模瞬态抗扰度（CMTI）比竞争解决方案好100%以上，而切换期间每周期动态功耗（ESW）比竞争对手低50%。
这些高压部件允许给定额定功率的系统在较高电压和较低电流下工作，其中噪声滤波损耗变得较少，所以逆变器的功率会更高。
FOD8334集成了必要的关键保护功能，可防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障。它降低了设计的复杂性，因为大多数保护功能都是内置的，因此无需电路板设计人员指定额外的组件。
该器件采用安森美半导体专有的Optoplanar®共面封装技术和优化的IC设计，可实现高绝缘电压和高抗噪性，具有高共模抑制特性。该器件采用宽体16引脚小外形塑料封装，在紧凑的封装中提供高隔离性能。
FOD8334是在接受客户建议后来进行开发的，并结合了多项功能，专门解决他们面临的严峻挑战。这是我们以客户为中心的一部分，也是我们成为创新电源管理解决方案首选来源的目标。安森美半导体为客户提供功率器件、专业设计知识和制造经验的独特组合，助力客户设计出令人惊艳的电子产品。
如您对以上产品感兴趣，可登陆富昌电子[Future Electronics]官网，了解更多包括[TMK212BBJ106KG-T]等热门料号在内的产品信息。富昌电子官网是富昌官方[中国电子元器件网]，为您提供包括[光电器件]在内，品类丰富的电子元器件产品线。 富昌电子https://www.futureelectronics.cn
